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STD5NK40ZT4-E

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  • STD5NK40ZT4-E
    STD5NK40ZT4-E

    STD5NK40ZT4-E

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話:15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 35000

  • ST

  • SOT252

  • 16+

  • -
  • STD5NK40ZT4-E
    STD5NK40ZT4-E

    STD5NK40ZT4-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

  • STM

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!!

  • STD5NK40ZT4-E
    STD5NK40ZT4-E

    STD5NK40ZT4-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 45615

  • VB

  • DPAK

  • 15+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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STD5NK40ZT4-E 技術(shù)參數(shù)
  • STD5NK40ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):305pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5NK40Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):305pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STD5N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):220pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5N80K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.75 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD60N55F3 STD60NF06T4 STD60NF3LLT4 STD60NF55LT4 STD60NH03L-1 STD60NH03LT4 STD64N4F6AG STD65N3LLH5 STD65N55F3 STD65N55LF3 STD65NF06 STD6N52K3 STD6N60M2 STD6N62K3 STD6N65M2 STD6N80K5 STD6N90K5 STD6N95K5
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