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STD64N4F6AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STD64N4F6AG
    STD64N4F6AG

    STD64N4F6AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STD64N4F6AG
    STD64N4F6AG

    STD64N4F6AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6007

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-252-3

  • 22+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STD64N4F6AG
    STD64N4F6AG

    STD64N4F6AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STD64N4F6AG
    STD64N4F6AG

    STD64N4F6AG

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 2500

  • ST MICROELECTRONICS

  • 價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 1604

  • -
  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
STD64N4F6AG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 54A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F6
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 54A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 8.2 毫歐 @ 27A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 44nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 2415pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 60W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DPAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STD64N4F6AG 技術(shù)參數(shù)
  • STD60NH03L-1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STD60NF55LT4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):56nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1950pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD60NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD60NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1810pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 32A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD6N90K5 STD6N95K5 STD6NF10T4 STD6NK50ZT4 STD6NM60N STD6NM60N-1 STD70N02L STD70N02L-1 STD70N03L STD70N03L-1 STD70N10F4 STD70N2LH5 STD70N6F3 STD70NH02LT4 STD70NS04ZL STD724T4 STD75N3LLH6 STD78N75F4
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