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STD920BLK

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STD920BLK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LED 安裝硬件 .2" DIA X .92" BLACK
  • RoHS
  • 制造商
  • Bivar
  • 產(chǎn)品
  • LED Mounting Clips
  • LED 大小
  • 5 mm
  • 材料
  • Nylon
  • 顏色
  • Black
  • 主體長度
  • 4.4 mm
  • 面板厚度尺寸
  • 封裝
  • Bulk
STD920BLK 技術(shù)參數(shù)
  • STD90N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD90N03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2805pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD90N02L 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2050pF @ 16V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD901T 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 20mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1800 @ 2A,2V 功率 - 最大值:35W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD8NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):560pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD9N60M2 STD9N65M2 STD9N80K5 STD9NM40N STD9NM50N STD9NM50N-1 STD9NM60N STD-C STDC-002 STDC-003 STDC-004 STDC-005 STDC-102 STDC-103 STDC-104 STDC-105 STD-CX STDD15-05WFILM
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