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STD980BLK

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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STD980BLK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED 安裝硬件 .2" DIA X .98" BLACK
  • RoHS
  • 制造商
  • Bivar
  • 產品
  • LED Mounting Clips
  • LED 大小
  • 5 mm
  • 材料
  • Nylon
  • 顏色
  • Black
  • 主體長度
  • 4.4 mm
  • 面板厚度尺寸
  • 封裝
  • Bulk
STD980BLK 技術參數
  • STD96N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK-3 標準包裝:1 STD95NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2070pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD95N4LF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD95N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD-C STDC-002 STDC-003 STDC-004 STDC-005 STDC-102 STDC-103 STDC-104 STDC-105 STD-CX STDD15-05WFILM STDH2-KIT ST-DIESET-FRONT-TYPE(01) ST-DIESET-FRONT-TYPE(02) ST-DIESET-FRONT-TYPE(03) ST-DIESET-FRONT-TYPE(04) STDLED524 STDLED623
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