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STF21N65M5-H

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  • STF21N65M5-H
    STF21N65M5-H

    STF21N65M5-H

  • 深圳市煌盛達科技有限公司
    深圳市煌盛達科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13823538694

    地址:平湖華南城華利嘉

    資質:營業執照

  • 12000

  • ST MICROELECTRONICS SEMI

  • 原廠原封裝

  • 20+

  • -
  • 原裝庫存,全新進口,可電13689551...

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
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STF21N65M5-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STF21N65M5-H 技術參數
  • STF21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1950pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1280pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF20NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):119nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF20NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF23NM60ND STF24N60DM2 STF24N60M2 STF24N65M2 STF24NM60N STF24NM65N STF25N10F7 STF25N60M2-EP STF25N80K5 STF25NM50N STF25NM60N STF25NM60ND STF26N60M2 STF26NM60N STF26NM60ND STF26NM60N-H STF27N60M2-EP STF28N60DM2
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