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STF3NK80Z/////////

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STF3NK80Z///////// 技術(shù)參數(shù)
  • STF3NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF3NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:130pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:385pF @ 25V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STF40NF03L STF40NF06 STF40NF20 STF42N60M2-EP STF42N65M5 STF43N60DM2 STF45N10F7 STF45N65M5 STF4LN80K5 STF4N52K3 STF4N62K3 STF4N80K5 STF4N90K5 STF4NK50ZD STF57N65M5 STF5N105K5 STF5N52K3 STF5N52U
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