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STF8A60

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  • STF8A60
    STF8A60

    STF8A60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SEMIWELL

  • TO-220F

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  • STF8A60
    STF8A60

    STF8A60

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 09/10+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • Bi-Directional Triode Thyristor
STF8A60 技術(shù)參數(shù)
  • STF826 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT-89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STF817A 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STF80N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.05 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):620pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):363pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF9HN65M2 STF9N60M2 STF9N65M2 STF9N80K5 STF9NK60ZD STF9NK80Z STF9NK90Z STF9NM50N STF9NM60N STFH10N60M2 STFH13N60M2 STFH18N60M2 STFH24N60M2 STFI10LN80K5 STFI10N62K3 STFI10N65K3 STFI10NK60Z STFI11N60M2-EP
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