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STGB20NB32LZT4

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說明
操作

STGB20NB32LZT4
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO263
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STGB20NB32LZT4
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
3000
ST
D2PAK
20+
-
科思奇現貨庫存，全新原裝

STGB20NB32LZT4
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
14822
ST
TO263
21+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

STGB20NB32LZT4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
TO263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STGB20NB32LZT4
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
ST
D2PAK
4
-
假一罰十，百分百原裝正品

STGB20NB32LZT4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGB20NB32LZT4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
74110
ST
TO263
14+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共27條
1

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB20NB32LZT4 技術參數

STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:375V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:150W 開關能量:11.8mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:51nC 25°C 時 Td（開/關）值:2.3μs/11.5μs 測試條件:250V，20A，1 千歐，4.5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:390V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:700ns/4.3μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關能量:209μJ（開），261μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:115nC 25°C 時 Td（開/關）值:42.5ns/177ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:90ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關能量:81μJ（開），125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/90ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF

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