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STH51004G

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批號
價格
說明
操作

STH51004G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
70264
Infineon Technologies
Module, 4 Lead, Sing
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STH51004G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2520
INF
原廠標準封裝
n/a
-
原裝現貨特價，停產偏冷優勢供應！數量需確...

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

STH51004G 技術參數

STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK-6 標準包裝:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH400N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH3N150-2 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2 STHAFC36P0701901000 STHAFC36P0701902000 STHDLS101QTR STHDLS101TQTR STHDMI001ATTR STHDMI002ABTR STHS2375AM6F STHS2375LM6F STHS2377AM6F STHS4257A1M6F STHV STHV748QTR