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STN2342

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價格
說明
操作

STN2342
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
SEMTRON
SOT23-3
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

STN2342AS-TRG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SEMTRON
SOT-23
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！

STN2342AS-TRG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
SEMTRON
SOT-23
2016+
-
原裝正品，假一罰十

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： STN2580 STN2NE10 STN2NE10L STN2NF10 STN3N40K3 STN3N45K3 STN3NF06 STN3NF06L STN3P6F6

STN2342 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STN2342 技術參數

STN1NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN1NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:105pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN1N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:206pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260 STN93003