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STN3NE06L-TR

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價格
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操作

STN3NE06L-TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
SOT-223
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

STN3NE06L-TR
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
ST
TO-223
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

STN3NE06L-TR
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
2000
ST
TO-223
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

STN3NE06L-TR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
321000
ST
SOT-223
13+pbf
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： STN3NF06 STN3NF06L STN3P6F6 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L STN5PF02V STN690A

STN3NE06L-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STN3NE06L-TR 技術參數

STN3N45K3 功能描述:MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN3N40K3 功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 歐姆 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN2NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN2580 功能描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 功率 - 最大值:1.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN1NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR