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STP10NK50ZFP

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  • STP10NK50ZFP
    STP10NK50ZFP

    STP10NK50ZFP

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • STP10NK50ZFP
    STP10NK50ZFP

    STP10NK50ZFP

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 250

  • ST全系列

  • TO-220F

  • 14+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
STP10NK50ZFP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP10NK50ZFP 技術參數
  • STP10NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1219pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP10N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP10NM65N STP10P6F6 STP110N10F7 STP110N55F6 STP110N7F6 STP110N8F6 STP110N8F7 STP11N52K3 STP11N60DM2 STP11N65M2 STP11N65M5 STP11NK40Z STP11NK40ZFP STP11NK50Z STP11NK50ZFP STP11NM50N STP11NM60 STP11NM60A
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