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STP11NB40ZFP

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  • STP11NB40ZFP
    STP11NB40ZFP

    STP11NB40ZFP

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 10+

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  • 原裝現貨優勢庫存

  • STP11NB40ZFP
    STP11NB40ZFP

    STP11NB40ZFP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ST

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  • STP11NB40ZFP
    STP11NB40ZFP

    STP11NB40ZFP

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ST

  • 06+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 1
STP11NB40ZFP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP11NB40ZFP 技術參數
  • STP11N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):480 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):644pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):670 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP11N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):614pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 STP11N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):525V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):510 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP110N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP11NM60FP STP11NM60N STP11NM60ND STP11NM65N STP11NM80 STP120N10F4 STP120N4F6 STP120NF04 STP120NF10 STP120NH03L STP12IE90F4 STP12N120K5 STP12N50M2 STP12N60M2 STP12N65M2 STP12N65M5 STP12NK30Z STP12NK60Z
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