欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STP150NH02LT4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " STP150NH02LT4 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STP15N60M2-EP STP15N65M5 STP15N80K5 STP15N95K5 STP15NK50Z STP15NK50ZFP STP15NM60N STP15NM60ND STP15NM65N

STP150NH02LT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP150NH02LT4 技術參數

STP150NF55 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP150NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3650pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP150N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP14NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 STP160N3LL STP160N4LF6 STP160N75F3 STP1612PW05MTR STP1612PW05TTR STP1612PW05XTTR STP165N10F4 STP16C596AB1R STP16C596ATTR STP16C596AXTTR STP16C596B1R STP16C596M STP16C596MTR STP16C596TTR STP16C596XTTR STP16CL596B1R STP16CL596M STP16CL596MTR