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STP55NE06LFI

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  • STP55NE06LFI
    STP55NE06LFI

    STP55NE06LFI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 10+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢庫存

  • STP55NE06LFI
    STP55NE06LFI

    STP55NE06LFI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 04+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
STP55NE06LFI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STP55NE06LFI 技術(shù)參數(shù)
  • STP52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1770pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP50NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 45A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):69 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):68.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP50NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):166nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6000pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP50NE08 功能描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP4NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP5N80K5 STP5N95K3 STP5N95K5 STP5NB40 STP5NB60 STP5NK100Z STP5NK40Z STP5NK50Z STP5NK50ZFP STP5NK52ZD STP5NK60Z STP5NK60ZFP STP5NK65Z STP5NK65ZFP STP5NK80Z STP5NK80ZFP STP5NK90Z STP60N3LH5
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