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STP7NM80Z

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  • STP7NM80Z
    STP7NM80Z

    STP7NM80Z

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 1000

  • ST

  • TO-220

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
STP7NM80Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP7NM80Z 技術參數
  • STP7NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.05 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):620pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP7NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):780 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP7NK80ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1138pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP7NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF10 STP80NF10FP STP80NF12 STP80NF55 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP STP80NF55-08 STP80NF55-08AG STP80NF55L-06 STP80NF70 STP80PF55 STP85N3LH5 STP85NF55 STP85NF55L STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z
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