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STS5N15M3

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  • STS5N15M3
    STS5N15M3

    STS5N15M3

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質:營業執照

  • 22358

  • ST/意法

  • SO8

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • STS5N15M3
    STS5N15M3

    STS5N15M3

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 50000

  • ST

  • SOIC-8

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現貨,支持BOM配單!

  • STS5N15M3
    STS5N15M3

    STS5N15M3

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 20000

  • ST

  • LS現貨

  • 14+

  • -
  • 全新原裝,進口現貨,準時交貨,量大優惠

  • STS5N15M3
    STS5N15M3

    STS5N15M3

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • SO8

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

  • STS5N15M3
    STS5N15M3

    STS5N15M3

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9800

  • ST

  • SOP

  • 18+

  • -
  • 優勢庫存,原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
STS5N15M3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-channel 150 V, 45 mΩ, 5 A, SO-8 ultra low gate charge MDmesh? III Power MOSFET
STS5N15M3 技術參數
  • STS5N15F4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2710pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5N15F3 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5DPF20L 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1350pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5DNF60L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5DNF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA
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