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STTH112U/BKN

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STTH112U/BKN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STTH112U/BKN 技術參數(shù)

STTH112U 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH112RL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH112A 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH110UFY 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBflat 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:1 STTH110A 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH1202FP STTH120L04TV1 STTH120L06TV1 STTH120R04TV1 STTH120R04TV2 STTH1210D STTH1210DI STTH1210DY STTH1210FP STTH1210G STTH1210G-TR STTH1212D STTH1212G STTH1212G-TR STTH12R06D STTH12R06DIRG STTH12R06FP STTH12R06G