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STTH4R02B-TR/BKN

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STTH4R02B-TR/BKN 技術參數

STTH4R02B-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH4R02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AB，DO-32，軸向供應商器件封裝:DO-201AB 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH4L06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3R06UFY 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，ECOPACK?2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBflat 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:1 STTH3R06U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH504U STTH506B STTH506B-TR STTH506D STTH506DTI STTH506TTI STTH50W03CW STTH50W06SW STTH512B STTH512B-TR STTH512D STTH512FP STTH5BCF060 STTH5L04DEE-TR STTH5L06 STTH5L06B STTH5L06B-TR STTH5L06D