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STU650S

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  • STU650S
    STU650S

    STU650S

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 18530

  • S

  • TO-252

  • 24+

  • -
  • 全新原裝正品現貨

  • STU650S
    STU650S

    STU650S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • STU650S
    STU650S

    STU650S

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 37750

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  • TEL23941969

  • TO-252

  • -
  • 全新原裝現貨

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STU650S 技術參數
  • STU60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 32A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU60N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1620pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU5N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU5N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 1.85A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:75 STU75N3LLH6 STU75N3LLH6-S STU7LN80K5 STU7N105K5 STU7N60M2 STU7N65M2 STU7N80K5 STU7NF25 STU7NM60N STU80N4F6 STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU8NM50N STU8NM60ND STU90N4F3 STU95N2LH5 STU95N3LLH6
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