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STU6N90K5

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STU6N90K5
    STU6N90K5

    STU6N90K5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 6007

  • ST/意法半導體

  • TO-251-3

  • 22+

  • -
  • 原裝正品現貨 可開增值稅發票

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
STU6N90K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? K5
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 900V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 6A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 100μA
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 110W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.1 歐姆 @ 3A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • IPAK(TO-251)
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
  • 標準包裝
  • 75
STU6N90K5 技術參數
  • STU6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75 STU6N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):880pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU65N3LLH5 功能描述:MOSFET N CH 30V 65A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 32.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1290pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU7N80K5 STU7NF25 STU7NM60N STU80N4F6 STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU8NM50N STU8NM60ND STU90N4F3 STU95N2LH5 STU95N3LLH6 STU95N4F3 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB
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