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STY16NA90

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STY16NA90
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247
25+
-
國產品牌，替代進口

STY16NA90
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-247
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STY16NA90
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共14條
1

您是不是要找： STY30NK90Z STY34NB50 STY50N105DK5 STY60NK30Z STY60NM50 STY60NM60 STY80NM60N STZ5.6NT146 STZ6.2NFHT146

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET

STY16NA90 技術參數

STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:138A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 69A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 70A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY130NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY112N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:96A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16870pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA