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TSI 10N-1211D

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TSI 10N-1211D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

TSI 10N-1211D 技術參數

TSHG8400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG8200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG6400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHG6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSHF5410 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長:890nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 視角:44° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4）標準包裝:4,000 TSI109-200IL TSI109-200ILY TSI10H100CW C0G TSI10H120CW C0G TSI10H150CW C0G TSI10H200CW C0G TSI10L200CW C0G TSI110-167CL TSI110-167CLY TSI148-133CL TSI148-133CLY TSI148-133IL TSI148-133ILY TSI20H100CW C0G TSI20H120CW C0G TSI20H150CW C0G TSI20H200CW C0G TSI220B1RL