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UPD5750T7D-E4A-A

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制造商
RENESAS
制造商全稱
Renesas Technology Corp
功能描述
SiGe BiCMOS Integrated Circuit Wide Band LNA IC with Through Function

UPD5750T7D-E4A-A 技術參數

UPD44647366AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) UPD44647366AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) UPD65654GF-209-3BA-A UPD65880GB-061-8ES-A UPD65881GF-H01-3BE-A UPD65881GF-H02-3BE-A UPD65882GF-217-3BA-SES-A UPD65883GF-H06-3BE-A UPD65944GJ-P08-JEU-A UPD70F3025AGC-33-8EU-A UPD70F3201YGC-YEU-A UPD70F3311GC-8EA-A UPD70F3318GJ-UEN-A UPD70F3378M2GJA-GAE-AX UPD70F3382M2GJA-GAE-AX UPD70F3451GC(R)-UBT-A UPD70F3451GC-UBT-A UPD70F3452GC(R)-UBT-A UPD70F3452GC-UBT-A UPD70F3453GC(R)-8EA-A