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VND5E050MCK-E

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VND5E050MCK-E
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
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ST
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VND5E050MCK-E 技術參數

VND5E050MCJTR-E 功能描述:功率驅動器IC Double CH High-Side 41V 50mOhm 27A RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E050KTR-E 功能描述:功率驅動器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E050K-E 功能描述:功率驅動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E050JTR-E 功能描述:功率驅動器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E050J-E 功能描述:功率驅動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E160JTR-E VND5E160MJ-E VND5E160MJTR-E VND5N07 VND5N07-1 VND5N0713TR VND5N07-1-E VND5N07-E VND5N07TR-E VND5T016ASPTR-E VND5T035AK-E VND5T035AKTR-E VND5T035ASTR-E VND5T035LAK-E VND5T035LAKTR-E VND5T050AK-E VND5T050AKTR-E VND5T100AJ-E