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VND5N07-13TR

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VND5N07-13TR
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8277481983249326
地址：銷售一部：華強北上步工業區501棟401室銷售二部：深圳市福田區紅荔路上航大廈411室
資質：營業執照
1831
VIA
原廠原裝
20+
-
公司常備大量原裝正品現貨！

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VND5N07-13TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VND5N07-13TR 技術參數

VND5N0713TR 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-1 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5E160MJTR-E 功能描述:功率驅動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5E160MJ-E 功能描述:功率驅動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VND5T050AK-E VND5T050AKTR-E VND5T100AJ-E VND5T100AJTR-E VND5T100ATR-E VND5T100LAJTR-E VND600 VND60013TR VND600-E VND600P-E VND600PEP-E VND600PEPTR-E VND600PTR-E VND600SP VND600SP13TR VND600SP-E VND600SPTR-E VND600TR-E