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VND5T016ASPTRE

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  • 深圳市百潤電子有限公司
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  • VND5T016ASPTRE
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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VND5T016ASPTRE 技術參數
  • VND5N07TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-1-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VND5N0713TR 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5N07-1 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND5T100AJTR-E VND5T100ATR-E VND5T100LAJTR-E VND600 VND60013TR VND600-E VND600P-E VND600PEP-E VND600PEPTR-E VND600PTR-E VND600SP VND600SP13TR VND600SP-E VND600SPTR-E VND600TR-E VND670SP VND670SP13TR VND7004AYTR
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