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VNS1NV04DPTR-E/BKN

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VNS1NV04DPTR-E/BKN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VNS1NV04DPTR-E/BKN 技術參數

VNS1NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS1NV04DP-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS1NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS14NV04TR-E 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 40V 12A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VNS14NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS30-2020 VNS30-2021 VNS30-2031 VNS30-2050 VNS30-2051 VNS3NV04D VNS3NV04D13TR VNS3NV04D-E VNS3NV04DP-E VNS3NV04DPTR-E VNS3NV04DTR-E VNS3NV04-E VNS3NV04PTR-E VNS3NV04TR-E VNS40-2031 VNS40-2050 VNS40-2051 VNS50-2031