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VNS3NV04DTRCT

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VNS3NV04DTRCT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
5000
STM
ROHS
13+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

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您是不是要找： VNS3NV04DTR-E VNS3NV04-E VNS3NV04PTR-E VNS3NV04TR-E VNS40-2031 VNS40-2050 VNS40-2051 VNS50-2031 VNS50-2050

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VNS3NV04DTRCT 技術參數

VNS3NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驅動器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS3NV04D 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNS50-2051 VNS7NV04-E VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04 VNV28N04-E