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VO-110

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VO-110 技術參數

VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產通道數:1 輸入 - 輸入側 1/輸入側 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:15kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極電流 - 輸出/通道:50mA 數據速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降時間（典型值）:23ns，7ns 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 電流 - DC 正向（If）:20mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效通道數:1 輸入 - 輸入側 1/輸入側 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:5kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極電流 - 輸出/通道:50mA 數據速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降時間（典型值）:23ns，7ns 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 電流 - DC 正向（If）:60mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNV49N0413TR 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VO12315000J0G VO1231510000G VO12315100J0G VO1232500000G VO12325000J0G VO1232510000G VO12325100J0G VO1263AAC VO1263AACTR VO1263AB VO1400AEFTR VO1411500000G VO14115000J0G VO1411510000G VO14115100J0G VO1412500000G VO14125000J0G VO1412510000G