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VO0804N30AT1/PQV034ZA

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VO0804N30AT1/PQV034ZA 技術參數
  • VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 通道數:1 輸入 - 輸入側 1/輸入側 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態抗擾度(最小值):15kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極 電流 - 輸出/通道:50mA 數據速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):100ns,100ns 上升/下降時間(典型值):23ns,7ns 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.4V 電流 - DC 正向(If):20mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 通道數:1 輸入 - 輸入側 1/輸入側 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態抗擾度(最小值):5kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極 電流 - 輸出/通道:50mA 數據速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):100ns,100ns 上升/下降時間(典型值):23ns,7ns 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.4V 電流 - DC 正向(If):60mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNV49N0413TR 功能描述:電源開關 IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VO08315000J0G VO0831510000G VO08315100J0G VO0832500000G VO08325000J0G VO0832510000G VO08325100J0G VO1011500000G VO10115000J0G VO1011510000G VO10115100J0G VO1012500000G VO10125000J0G VO1012510000G VO10125100J0G VO1031500000G VO10315000J0G VO1031510000G
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