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ZAMP001H6TC

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  • ZAMP001H6TC
    ZAMP001H6TC

    ZAMP001H6TC

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • Diodes

  • SOT-363

  • 新年份

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  • ZAMP001H6TC
    ZAMP001H6TC

    ZAMP001H6TC

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 功能描述
  • 射頻放大器 800-2500MHz
  • RoHS
  • 制造商
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • 類型
  • Low Noise Amplifier
  • 工作頻率
  • 2.3 GHz to 2.8 GHz
  • P1dB
  • 18.5 dBm
  • 輸出截獲點
  • 37.5 dBm
  • 功率增益類型
  • 32 dB
  • 噪聲系數
  • 0.85 dB
  • 工作電源電壓
  • 5 V
  • 電源電流
  • 125 mA
  • 測試頻率
  • 2.6 GHz
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • QFN-16
  • 封裝
  • Reel
ZAMP001H6TC 技術參數
  • ZAEI-01-UNI 功能描述:SMARTZONE GATEWAY EPA126 SUPPOR 制造商:panduit corp 系列:SmartZone? 零件狀態:在售 配件類型:網關 特性:- 配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube ZAP-B ZAPDUMODKIT ZAP-R ZAP-W ZAQ-1 ZAQ-2 ZAQ-22 ZAQ-3 ZARKMS-01 ZARKMS-01-NA ZARKMS-01-UNI ZAS141-084-12L-BBU ZAS141-084-12R-BBU ZAURA868100KITG ZAURA868100MODG ZAURA915100KITG ZAURA915100MODG ZB3010-A
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