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1SS373

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)

1SS373 技術參數

1SS370TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS367,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:肖特基 - 1 對串聯電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 電流 - 最大值:35mA 不同?Vr，F 時的電容:0.85pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS362TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:80mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG