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2DD2661

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制造商
DIODES
制造商全稱
Diodes Incorporated
功能描述
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

2DD2661 技術參數

2DD2656-7 功能描述:TRANS NPN 30V 1A SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:270MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2DD2652-7 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:260MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2DD2150R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DD2098R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DD1766R-13 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DDR100S 2DDR-100SF0 2DE103J 2DE103K 2DE-19P 2DE-19PA160 2DE19P-A160 2DE19PBR 2DE19PBRP 2DE19P-F0 2DE-19PF115 2DE-19PF171 2DE-19PF172 2DE19P-F173 2DE19P-F173-F0 2DE19P-F225-F0 2DE19PK75 2DE-19PK87