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2N292

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
alloy-junction germanium transistors

2N292 技術參數

2N2919U 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N2919L 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2919A 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2919 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2918 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2946A 2N2946AUB 2N3013 2N3014 2N3019 2N3019S 2N3053 2N3053A 2N3055 2N3055AG 2N3055G 2N3055H 2N3055HG 2N3057A 2N3108 2N3117 2N3250 2N3250A