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2N3467

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT PNP Core Driver
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N3467 技術參數
  • 2N3442G 功能描述:TRANS NPN 140V 10A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 2A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):200mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3A,4V 功率 - 最大值:117W 頻率 - 躍遷:80kHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3442 功能描述:TRANS NPN 140V 10A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 2A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):200mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3A,4V 功率 - 最大值:117W 頻率 - 躍遷:80kHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3440UA 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3440L 功能描述:TRANS NPN 250V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA,TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3440 功能描述:TRANS NPN 250V TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):20μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3499 2N3499L 2N3500 2N3500L 2N3501 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4 2N3507L 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585
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