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2N3501

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N3501 技術參數

2N3500L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3500 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標準包裝:1 2N3499L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3499 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標準包裝:1 2N3498L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700