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2N3583

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN High Power
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N3583 技術參數
  • 2N3507U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 250mA,2.5A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 1.5A,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3507AL 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z
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