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2N4919

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W PNP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N4919 技術參數

2N4918G 功能描述:TRANS PNP 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4918 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:1,000 2N4914 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4913 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4911 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4937 2N4938 2N4939 2N4953 2N4953_D26Z 2N4957 2N4957UB 2N497 2N498 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 2N5004 2N5005 2N5010 2N5011 2N5031