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2N6036

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  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
2N6036 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 達林頓晶體管 PNP Darlington
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 最大直流電集電極電流
  • 0.5 A
  • 最大集電極截止電流
  • 功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-18
  • 封裝
  • Reel
2N6036 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6035G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6034G 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6034 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6028RLRPG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過期 電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 標準包裝:1 2N6028RLRP 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過期 電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 標準包裝:2,000 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG
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