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2N6287

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  • 功能描述
  • 達林頓晶體管 PNP Darlington Sw
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 最大直流電集電極電流
  • 0.5 A
  • 最大集電極截止電流
  • 功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-18
  • 封裝
  • Reel
2N6287 技術參數
  • 2N6286G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 200mA,20A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 10A,3V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6286 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6284G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 20A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 200mA,20A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 10A,3V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6284 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6281 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6301 2N6306 2N6308 2N6315 2N6316 2N6317 2N6329 2N6330 2N6338 2N6338G 2N6339 2N6340 2N6341 2N6341G 2N6344AG 2N6344G 2N6348AG 2N6349AG
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