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2N6388

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  • 功能描述
  • 達林頓晶體管 NPN Power Darlington
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 最大直流電集電極電流
  • 0.5 A
  • 最大集電極截止電流
  • 功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-18
  • 封裝
  • Reel
2N6388 技術參數
  • 2N6387G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6387 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6384 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6383 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6377 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6400 2N6400G 2N6401 2N6401G 2N6402G 2N6403G 2N6403TG 2N6404G 2N6405G 2N6426 2N6426_D26Z 2N6426_D74Z 2N6426G 2N6426RLRA 2N6426RLRAG 2N6427 2N6427_D26Z 2N6427_D27Z
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