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2N639

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制造商
Distributed By MCM
功能描述
SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 40V 5A 5W BCE NPN

2N639 技術參數

2N6388G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6388 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:盒零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:65W 頻率 - 躍遷:20MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:400 2N6387G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6387 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6384 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6400G 2N6401 2N6401G 2N6402G 2N6403G 2N6403TG 2N6404G 2N6405G 2N6426 2N6426_D26Z 2N6426_D74Z 2N6426G 2N6426RLRA 2N6426RLRAG 2N6427 2N6427_D26Z 2N6427_D27Z 2N6427_D75Z