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BCP5616

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱(chēng)
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • Low power NPN Transistor
BCP5616 技術(shù)參數(shù)
  • BCP56-10TX 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:180MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCP56-10TF 功能描述:BCP56-10T/SOT223/SC-73 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BCP5610TA 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCP56-10T3G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223(TO-261) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BCP56-10T1G 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCP56-16T3G BCP5616TA BCP5616TC BCP56-16TF BCP56-16-TP BCP56-16TX BCP56F BCP56HX BCP56T1 BCP56T1G BCP56T3G BCP56TA BCP56TF BCP56TX BCP68 BCP68,115 BCP68-25,115 BCP68-25,135
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