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BD239C

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BD239C 技術參數

BD239BTU 功能描述:TRANS NPN 80V 2A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A，4V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BD239B-S 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BD239ATU 功能描述:TRANS NPN 60V 2A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A，4V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BD239A-S 功能描述:TRANS NPN 60V 2A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BD238STU 功能描述:TRANS PNP 80V 2A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，2V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD240B-S BD240BTU BD240C-S BD240CTU BD240-S BD240TU BD241A BD241A-A BD241A-S BD241ATU BD241B-S BD241BTU BD241C BD241CG BD241C-S BD241CTU BD241D-S BD241E-S