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BDV66

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制造商
ISC
制造商全稱
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDV66 技術參數

BDV65-S 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDV65C-S 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDV65B-S 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDV65BG 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 BDV65B 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:30 BDW24B-S BDW24BTU BDW24C-S BDW24CTU BDW24-S BDW24TU BDW42 BDW42G BDW46 BDW46G BDW47 BDW47G BDW53A-S BDW53B-S BDW53C-S BDW53D-S BDW53-S BDW54A-S