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BFG11/X

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
NPN 2 GHz RF power transistor

BFG11/X 技術參數

BFG10W/X,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343 反向插針供應商器件封裝:4-SO 標準包裝:3,000 BFG10/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:8V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG10,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:8V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG.LF.100.XAZ 功能描述:CONN CAP FOR .LF. PLUG 制造商:lemo 系列:LF 零件狀態:在售配件類型:帽蓋（蓋）配套使用產品/相關產品:LF 系列插頭外殼尺寸 - 插件:- 材料:鋁特性:防塵，系索，防水顏色:- 標準包裝:1 BFG.FF.100.XAZ 功能描述:CONN PLUG CAP FOR .FF. 制造商:lemo 系列:FF 零件狀態:在售配件類型:帽蓋（蓋）配套使用產品/相關產品:FF 系列插頭外殼尺寸 - 插件:- 材料:鋁特性:防塵，系索，防水顏色:- 標準包裝:1 BFG310/XR,215 BFG310W/XR,115 BFG325/XR,215 BFG325W/XR,115 BFG35,115 BFG403W,115 BFG410W,115 BFG410W,135 BFG424F,115 BFG424W,115 BFG425W,115 BFG425W,135 BFG480W,115 BFG480W,135 BFG505,215 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215