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BFG21W

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BFG21W PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BFG21W UHF power transistor

BFG21W 技術參數(shù)

BFG198,115 功能描述:TRANS NPN 10V 8GHZ SC73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFG135AE6327XT 功能描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:2,000 BFG135,115 功能描述:TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFG10W/X,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343 反向插針供應商器件封裝:4-SO 標準包裝:3,000 BFG10/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:8V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG325W/XR,115 BFG35,115 BFG403W,115 BFG410W,115 BFG410W,135 BFG424F,115 BFG424W,115 BFG425W,115 BFG425W,135 BFG480W,115 BFG480W,135 BFG505,215 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235