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BSM75GD120DN2

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  • 封裝
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  • 操作
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  • 功能描述
  • IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
BSM75GD120DN2 技術參數
  • BSM75GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM75GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):11nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM6-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態:過期 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規:10-12 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標準包裝:10 BSM6-L 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 10-12 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態:過期 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規:10-12 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標準包裝:50 BSM50GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K BSN18-C BSN18-E BSN18-M BSN20,215 BSN20,235 BSN20-7
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