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BUT12

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制造商
ISC
制造商全稱
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor

BUT12 技術參數

BUT11TU 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 BUT11-S 功能描述:TRANS NPN 400V 5A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:12,000 BUT11FTU 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 BUT11ATU 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 BUT11APX-1200,127 功能描述:TRANS NPN 550V 6A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:550V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:32W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 BUTW92 BUV20 BUV21G BUV22 BUV22G BUV26 BUV26G BUV27 BUV27G BUV298AV BUV298V BUV48A BUV98AV BUW48 BUX10 BU-X15400-0 BU-X15400-2 BUX348